英特尔在IEDM 2024展示先进封装与晶体管技术突破，助力半导

英特尔在芯片技术方面实现了显著进展，引起了科技界的广泛关注。其在封装技术方面取得了显著成就，吞吐量提升了惊人的100倍，这一成就堪称卓越。这一突破对芯片行业的发展产生了深远影响，推动行业朝着2030年实现单个芯片拥有万亿级晶体管的目标迈进，技术突破显得尤为关键。

英特尔的选择性层转移技术

选择性层转移技术大幅提高了芯片封装的生产效率，可达百倍之高。据2024年的数据表明，这项技术已成了英特尔先进封装的关键方法。它具备众多优势，例如缩小芯片体积，提高其纵横比。与传统技术相比，这一技术优势显著，不仅实现了晶圆到晶圆的高效连接，还具备了芯片到晶圆连接的灵活性和强大功能。

这项技术用途广泛，它能将超薄芯粒融入，增强功能密度。同时，它还能利用混合或融合键合技术，为不同晶圆的芯粒封装提供既灵活又经济的解决方案。

解决铜材料晶体管互连微缩限制

芯片技术进步，铜制晶体管遭遇了连接微型化的瓶颈。英特尔此时着手提升封装技术，这对后续工艺发展至关重要。在探索新的工艺阶段，有许多问题值得我们深入思考。

解决这一问题对于推动芯片产业进步大有裨益。它关乎芯片能否实现更高的性能、更优的能效以及更低的成本，对计算应用的未来需求至关重要。若英特尔的研究取得成效，将为芯片制造业在成本控制和性能提升方面提供宝贵的参考。

GAA晶体管的发展方向

英特尔认为，GAA晶体管在2D材料上的应用可能标志着硅基沟道性能的极限，并指向了未来的发展方向。在GAA技术的创新方面，英特尔代工公司进行了2D GAA NMOS和PMOS晶体管的制造研究，特别强调了栅氧化层模块的研发工作。

晶体管栅极的长度已经缩小至30纳米，这无疑是一项显著的成就，为后续的深入研究打下了坚实的基础。在数据中心的实际应用中，硅材料的电力传输速度已经接近极限，这也进一步突显了GAA晶体管研究的远见卓识。

以GaN为代表的新材料探索

硅材料在电力传输上的不足引起了人们对于其他材料的兴趣。英特尔在代工过程中发现，以300毫米GaN材料为代表的一类材料在数据中心领域颇具吸引力。这一发现或许将颠覆未来材料应用的格局。

实际研发和生产阶段，这种新型材料会遇到诸多难题，包括但不限于生产工艺和成本等方面。英特尔代工以及整个行业都必须认真思考如何解决这些问题。为此比心充值，必须投入大量人力和物力，进行深入研究和调整以适应需求。

减成法钌互连技术的突破

英特尔在缩小微缩互连技术方面取得了显著进展，其中减成法钌互连技术尤为突出。这项技术选用了钌作为替代金属化材料，并借助薄膜电阻率和空气间隙的优势。

这一技术在未来的工艺节点上展现出巨大的应用潜力。它有可能引领开发出新一代的互联技术，并能与新一代的晶体管和封装技术相协调。这对芯片技术的整体进步至关重要。

对AI发展的意义

在2024年的IEDM会议上，英特尔透露了它们的展望，提到对新材料的研究将促进背面供电技术的提升。这一进步对AI在未来十年内实现高效能发展具有重要意义。

如今AI技术飞速进步，芯片的性能和能效对AI发展至关重要。英特尔的这些技术提升，为AI的进步注入活力。然而苹果账号充值，这一切的实现离不开整个行业的共同努力。大家觉得，英特尔的技术进步将如何影响未来AI的普及速度？欢迎点赞、转发，并在评论区展开讨论。